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BR32

  • GeneSiC Semiconductor
  • 新批次
  • 桥式整流器 SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R
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数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.9157
89.157
50
¥8.0682
403.41
100
¥7.0512
705.12
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GeneSiC Semiconductor
产品种类
桥式整流器
RoHS
是
安装风格
Through Hole
端接类型
Through Hole
封装 / 箱体
BR-3
If - 正向电流
3 A
峰值反向电压
200 V
Vf - 正向电压
1 V
最大浪涌电流
50 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
BR3
封装
Bulk
产品
Bridge Rectifiers
商标
GeneSiC Semiconductor
Ir - 反向电流
10 uA
产品类型
Bridge Rectifiers
工厂包装数量
50
子类别
Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压
140 V
商品其它信息
优势价格，BR32的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VT1045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A 45V DUAL TrenchMOS
4,000:¥4.1358
5,000:¥3.9211
10,000:¥3.7855
25,000:¥3.6612
参考库存:48242
A2T18H455W23NR6
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H455W23N/FM6F///REEL 13
150:¥1,042.1086
参考库存:48247
VS-60EPF02PBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 60A 200V FS TO247AC
500:¥38.646
1,000:¥33.7305
2,500:¥32.431
参考库存:48252
A2T21S260-12SR3
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,170.0472
参考库存:48257
ES2F-M3/52T
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 2A,300V,35NS,UF Rect,SMD
9,000:¥0.92999
9,750:¥0.86784
24,750:¥0.79891
参考库存:48262

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    50万现货SKU

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