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DMN1004UFDF-13

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1
¥3.842
3.842
10
¥3.2092
32.092
100
¥1.9549
195.49
1,000
¥1.5142
1514.2
2,500
¥1.2882
3220.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
47 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
16.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.7 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31.6 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
单位重量
7 mg
商品其它信息
优势价格，DMN1004UFDF-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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97,500:¥0.47686
参考库存:38435

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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