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分立半导体
IPP100N08N3 G参考图片

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IPP100N08N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
1,000
¥5.8534
5853.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
8.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPP100N08N3GXKSA1 IPP1N8N3GXK SP000680856
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP100N08N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJH1CV5DPQ-E0#T2
Renesas Electronics
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥48.251
10:¥43.1095
25:¥38.8042
50:¥37.0414
参考库存:38573
QK015R5TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 1000V 15A 50-50-50mA
1:¥23.3571
10:¥18.7467
100:¥17.063
250:¥15.4471
参考库存:38578
DZ4J091K0R
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稳压二极管 9.1V 5% 200mW FLT LD 2x2.1mm
暂无价格
参考库存:38583
S6055NTP
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分立半导体
SCR 55A 600V
1:¥33.5836
10:¥26.9731
100:¥24.5097
250:¥22.2045
500:¥19.5151
参考库存:38588
VS-30CPQ035-N3
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分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-247-e3
500:¥26.2838
1,000:¥22.1254
2,500:¥21.0519
参考库存:38593

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    50万现货SKU

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