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分立半导体
DMT10H015LFG-13参考图片

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DMT10H015LFG-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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数量单价合计
3,000
¥3.4578
10373.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
13.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
33.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
DMT10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.7 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,DMT10H015LFG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
1:¥34.4198
10:¥29.1992
100:¥25.3572
250:¥24.0464
参考库存:8330
分立半导体
整流器 400V 200A Super Fast Recovery
1:¥659.7505
5:¥651.3772
10:¥618.4829
25:¥589.6679
参考库存:5142
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 200mA 250V
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:26834
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Rectifier 60V 80A
1:¥3.2318
10:¥2.147
100:¥1.4577
500:¥1.1978
1,200:¥0.89948
参考库存:18301
分立半导体
稳压二极管 5W Zener 5.1V 1.0Vr 930mA
1:¥7.2998
10:¥5.989
100:¥4.9833
500:¥3.8533
1,400:¥3.4804
参考库存:23358
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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