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分立半导体
DMT3009LFVWQ-7参考图片

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DMT3009LFVWQ-7

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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1358
41.358
100
¥2.6668
266.68
1,000
¥2.1357
2135.7
2,000
¥1.7967
3593.4
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI-3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
1.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.9 ns
典型接通延迟时间
3.2 ns
商品其它信息
优势价格,DMT3009LFVWQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A 45V DUAL TrenchMOS
4,000:¥4.1358
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10,000:¥3.7855
25,000:¥3.6612
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H455W23N/FM6F///REEL 13
150:¥1,042.1086
参考库存:48247
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整流器 60A 200V FS TO247AC
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1,000:¥33.7305
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参考库存:48252
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,170.0472
参考库存:48257
分立半导体
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9,000:¥0.92999
9,750:¥0.86784
24,750:¥0.79891
参考库存:48262
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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