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分立半导体
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FGD5T120SH

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1
¥8.6784
8.6784
10
¥7.4467
74.467
100
¥5.7178
571.78
500
¥5.0511
2525.55
2,500
¥3.5369
8842.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.9 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
69 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGD5T120SH
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，FGD5T120SH的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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20,000:¥0.88366
50,000:¥0.47686
100,000:¥0.43844
参考库存:33883

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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