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分立半导体
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NSV40302PDR2G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMP 40V NPN/PNP LO
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1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.2658
52.658
100
¥3.4013
340.13
1,000
¥2.7233
2723.3
2,500
¥2.2939
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
晶体管极性
NPN, PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V, - 7 V
集电极—射极饱和电压
- 0.17 V
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS40302P
直流电流增益 hFE 最大值
230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
150
Pd-功率耗散
653 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格，NSV40302PDR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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D3
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600:¥20.2044
1,020:¥17.063
2,520:¥16.2155
5,010:¥15.594
参考库存:56322

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