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分立半导体
STD4LN80K5参考图片

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STD4LN80K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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数量单价合计
1
¥9.6841
9.6841
10
¥8.2264
82.264
100
¥6.3619
636.19
500
¥5.6274
2813.7
1,000
¥4.4409
4440.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
3.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
STD4LN80K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,STD4LN80K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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24,000:¥0.61472
45,000:¥0.59212
99,000:¥0.56839
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7,000:¥1.01474
10,500:¥0.95259
28,000:¥0.87575
52,500:¥0.83733
101,500:¥0.80682
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40:¥458.6557
80:¥443.3668
120:¥437.4456
参考库存:43519
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