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分立半导体
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CGH09120F

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt
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参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
21 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
28 A
输出功率
20 W
最大漏极/栅极电压
28 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
56 W
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
应用
Telecom
配置
Single
工作频率
910 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
NF—噪声系数
3 dB
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH09120F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VB30120C-E3/8W
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