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分立半导体
SIHD5N50D-E3参考图片

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SIHD5N50D-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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数量单价合计
1
¥9.605
9.605
10
¥7.91
79.1
100
¥6.0907
609.07
500
¥5.2319
2615.95
3,000
¥4.2375
12712.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
5.3 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
D
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,SIHD5N50D-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:30156
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Volt 3.0 Amp 100 Amp IFSM
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥2.147
500:¥1.7628
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7,000:查看
参考库存:7318
分立半导体
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1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:23910
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode SC-105AA/SOT-723
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.80682
500:¥0.61472
10,000:¥0.32318
20,000:查看
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分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS LN XSTR NPN 25V
1:¥3.842
10:¥2.486
100:¥1.06785
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.62263
参考库存:47314
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    50万现货SKU

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