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STW70N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.032 Ohm typ., 67 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
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1
¥76.7609
76.7609
10
¥69.382
693.82
25
¥66.1615
1654.0375
100
¥57.404
5740.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
66 A
Rds On-漏源导通电阻
42 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
121 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW70N60DM2
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
67 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
112 ns
典型接通延迟时间
32 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW70N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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