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分立半导体
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STB45N50DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
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数量单价合计
1
¥37.5725
37.5725
10
¥31.9677
319.677
100
¥27.6624
2766.24
250
¥26.2838
6570.95
1,000
¥19.8993
19899.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
84 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
产品
Power MOSFET
系列
STB45N50DM2AG
类型
High Voltage
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
9.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
73.5 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB45N50DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N6170AUS
Semtech
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250:¥118.7178
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5,000:¥9.4468
10,000:¥9.0626
参考库存:30147

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