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分立半导体
STL16N60M2参考图片

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STL16N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
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库存：17,827(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.3682
19.3682
10
¥16.4415
164.415
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.526
5763
3,000
¥8.9157
26747.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-HV-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
355 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6.35 mm
产品
Power MOSFET
系列
STL16N60M2
类型
MDmesh M2
宽度
5.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
18.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns
单位重量
130 mg
商品其它信息
优势价格，STL16N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXTP25060BFHTA
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60V 3A 3-PIN
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:19059
BSO080P03NS3E G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
2,500:¥3.1753
参考库存:16246
STP8NK80Z
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
1:¥22.5887
10:¥19.21
100:¥15.368
500:¥13.447
参考库存:8323
MJE340
STMicroelectronics
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.4182
1,000:¥1.9323
2,500:¥1.6385
参考库存:32640
IRF7807VTRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFT 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
4,000:¥2.825
参考库存:16027

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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