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分立半导体
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BSS123W

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库存:161,694(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.1696
21.696
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.65314
1959.42
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
170 mA
Rds On-漏源导通电阻
10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2 mm
系列
BSS123W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
5.73 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.24 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.4 ns
典型接通延迟时间
2.94 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,BSS123W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥14.6787
10:¥13.3679
100:¥10.8367
500:¥8.4524
1,000:¥8.2264
3,000:¥8.2264
参考库存:34117
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥14.9838
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.9157
参考库存:14834
分立半导体
MOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9834
2,500:¥6.9834
参考库存:30503
分立半导体
IGBT 模块 IGBT Module 200A 1200V
1:¥1,652.5233
5:¥1,612.7925
10:¥1,572.7566
25:¥1,550.7103
参考库存:4861
分立半导体
整流器 30A 600V Ultrafast 45ns
1:¥13.5261
10:¥11.2209
100:¥8.6784
500:¥7.6275
1,000:¥6.3167
参考库存:13948
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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