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分立半导体
STW37N60DM2AG参考图片

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STW37N60DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存：3,715(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.4144
39.4144
10
¥33.5045
335.045
100
¥29.041
2904.1
250
¥27.5833
6895.825
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
210 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW37N60DM2AG
类型
High Voltage
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
21.2 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW37N60DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FESB8DTHE3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 8.0A 200 Volt 35ns 125 Amp IFSM
1:¥11.30
10:¥9.2999
100:¥7.1868
500:¥6.1811
参考库存:28615
MBRB10H60HE3_A/P
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,60V,TO-263AB AEC-Q101 Qualified
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3845
500:¥5.4918
参考库存:28620
BZG05C91-HM3-18
Vishay
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.616
10:¥2.4182
100:¥1.6385
500:¥1.3108
6,000:¥0.85315
12,000:查看
参考库存:28625
SMBZ5937B-E3/52
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 33 Volt 3.0 Watt 5%
1:¥3.6838
10:¥2.825
100:¥2.1018
500:¥1.7176
750:¥1.3334
参考库存:28630
DMP2010UFV-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
2,000:¥1.4803
参考库存:28635

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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