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分立半导体
STW37N60DM2AG参考图片

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STW37N60DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存：3,715(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.4144
39.4144
10
¥33.5045
335.045
100
¥29.041
2904.1
250
¥27.5833
6895.825
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
210 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW37N60DM2AG
类型
High Voltage
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
21.2 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW37N60DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSVMMBT3906TT1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SMALL SIGNAL GENERAL
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:60103
S1FLG-GS08
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3
1:¥2.9945
10:¥1.7176
100:¥0.92208
500:¥0.73789
3,000:¥0.47686
6,000:查看
参考库存:34335
BCP56F
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCP56/SC-73/REEL 13" Q1/T1 *ST
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:36777
SSM5N15FU,LF
Toshiba
分立半导体
MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:18539
L6006L5TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 600V 6A Sensing 5-5-5-5mA
1:¥16.6788
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
参考库存:6946

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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