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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
技术	GaN
增益	16.2 dB
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	90 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Cut Tape
封装	Reel
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	1.8 GHz to 3.8 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
开发套件	QPD0060PCB4B01
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1131037

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
D3Z2V4BF-7	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 400mW 2.53V Zener ZENER DIODE	1:¥1.4577 10:¥1.03734 100:¥0.43844 1,000:¥0.29945 3,000:¥0.23052	参考库存:33087
MMSZ5228BT1G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 3.9V 500mW	1:¥1.695 10:¥1.1978 100:¥0.49946 1,000:¥0.34578 3,000:¥0.26894	参考库存:12654
BZX55B10-TAP	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 10 Volt 0.5W 2%	1:¥1.8419 10:¥1.5933 100:¥0.67574 500:¥0.56048 10,000:¥0.24634 20,000:查看	参考库存:52221
BC847BDW1T1G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V Dual NPN	1:¥1.695 10:¥1.1413 100:¥0.47686 1,000:¥0.32318 3,000:¥0.25312	参考库存:302333
SBC817-40LT3G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 SS GP XSTR SPCL TR	1:¥2.0792 10:¥1.3786 100:¥0.5763 1,000:¥0.39211 10,000:¥0.26103 20,000:查看	参考库存:115160