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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Cree, Inc.
产品种类	肖特基二极管与整流器
RoHS	是
产品	Schottky Silicon Carbide Diodes
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-252 (DPAK)
If - 正向电流	2 A
Vrrm - 重复反向电压	650 V
Vf - 正向电压	1.8 V
Ifsm - 正向浪涌电流	65 A
配置	Single
技术	SiC
Ir - 反向电流	50 uA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
封装	Reel
工作温度范围	- 55 C to + 175 C
商标	Wolfspeed / Cree
Pd-功率耗散	39.5 W
产品类型	Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量	2500
子类别	Diodes & Rectifiers
trr - 反向恢复时间	-
单位重量	340 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SIA477EDJT-T1-GE3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L	1:¥3.842 10:¥2.8928 100:¥2.147 500:¥1.7628 3,000:¥1.243 6,000:查看	参考库存:23625
IHW15N120R3	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body	1:¥25.199 10:¥21.4361 100:¥18.5998 250:¥17.5941 500:¥15.8313	参考库存:6987
VS-CPV364M4FPBF	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600 Volt 15 Amp	1:¥374.0526 5:¥364.1425 10:¥350.0062 25:¥323.6546	参考库存:4229
RFC02MM2STFTR	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 200V VR 0.5A IO SOD-123FL; PMDU	1:¥11.752 10:¥9.9892 100:¥7.9891 500:¥7.0286 3,000:¥5.4127 6,000:查看	参考库存:33431
IPP320N20N3 G	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3	1:¥20.8259 10:¥17.6732 100:¥15.368 250:¥14.5205	参考库存:9203