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分立半导体
BTA312X-600E/DGQ参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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BTA312X-600E/DGQ

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双向可控硅 BTA312X-600E/DG/TO-220F/STANDA
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库存:32,530(价格仅供参考)
数量单价合计
5,000
¥3.277
16385
10,000
¥3.1527
31527
25,000
¥3.051
76275
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双向可控硅
RoHS
开启状态RMS电流 - It RMS
12 A
不重复通态电流
110 A
额定重复关闭状态电压 VDRM
600 V
关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)
0.1 mA
开启状态电压
1.3 V
保持电流Ih最大值
15 mA
栅极触发电压-Vgt
0.7 V
栅极触发电流-Igt
10 mA
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220F-3
商标
WeEn Semiconductors
产品类型
Triacs
工厂包装数量
1000
子类别
Thyristors
零件号别名
934067484127
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,BTA312X-600E/DGQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Isolated AC/DC Converter
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:10760
分立半导体
MOSFET N-Ch 20V 80A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥9.9892
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
1,000:¥4.5765
5,000:¥4.5765
参考库存:27222
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
1:¥861.0713
10:¥807.2833
25:¥788.3784
50:¥769.5526
参考库存:6604
分立半导体
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥16.2946
10:¥14.5205
100:¥11.6842
500:¥9.379
3,000:¥9.379
参考库存:40896
分立半导体
MOSFET 40V Vds 20V Vgs SOT-23
1:¥3.7629
10:¥2.5538
100:¥1.7289
500:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥1.03734
参考库存:735378
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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