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分立半导体
NVMFS5A160PLZT3G参考图片

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NVMFS5A160PLZT3G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
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1
¥22.4418
22.4418
10
¥19.0518
190.518
100
¥15.2098
1520.98
500
¥13.2888
6644.4
5,000
¥9.9101
49550.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8FL
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
7.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
160 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel Power MOSFET
商标
ON Semiconductor
下降时间
643 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
690 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
645 ns
典型接通延迟时间
50 ns
商品其它信息
优势价格，NVMFS5A160PLZT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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