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分立半导体
SPB20N60C3参考图片

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SPB20N60C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
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数量单价合计
1
¥36.1148
36.1148
10
¥30.736
307.36
100
¥26.5889
2658.89
250
¥25.2781
6319.525
500
¥22.6678
11333.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20.7 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
87 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
67 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SP000013520 SPB20N60C3ATMA1 SPB2N6C3XT
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，SPB20N60C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BAT54CQ-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V Schottky Diode 200mA IF 300/600
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:113430
BZX79-C5V1,113
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 500MW 5.1V 5%
1:¥0.99892
10:¥0.88366
100:¥0.31527
1,000:¥0.20792
10,000:¥0.13786
25,000:查看
参考库存:73862
FJP13009TU
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Sil Transistor
1:¥9.2208
10:¥7.91
100:¥6.0229
500:¥5.3223
1,000:¥4.2036
参考库存:13879
STP5NK60Z
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:16061
APT30D60BHBG
Microsemi
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - D
1:¥62.0822
5:¥59.6301
10:¥57.404
25:¥52.7936
参考库存:5148

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