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分立半导体
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FDP023N08B-F102

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数量单价合计
1
¥23.8995
23.8995
10
¥20.2835
202.835
100
¥17.5941
1759.41
250
¥16.6788
4169.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
242 A
Rds On-漏源导通电阻
1.96 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
245 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP023N08B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
185 S
下降时间
56 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
71 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
111 ns
典型接通延迟时间
41 ns
零件号别名
FDP023N08B_F102
单位重量
2.346 g
商品其它信息
优势价格，FDP023N08B-F102的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDBHM120L-G
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10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:28783

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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