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分立半导体
IPP028N08N3 G参考图片

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IPP028N08N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥38.42
38.42
10
¥32.657
326.57
100
¥28.3517
2835.17
250
¥26.894
6723.5
500
¥24.1255
12062.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
73 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
86 ns
典型接通延迟时间
28 ns
零件号别名
IPP028N08N3GXKSA1 IPP28N8N3GXK SP000680766
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP028N08N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ESH2DAHR2
Taiwan Semiconductor
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15,000:¥0.94468
参考库存:47325
BZD27C33PHRQG
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10,000:¥0.9605
20,000:¥0.89948
50,000:¥0.80682
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SSL14 R2
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15,000:¥1.3108
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Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 Ultrafast 1A, 400V, Micro SMA RECTIFIER
18,000:¥0.60681
24,000:¥0.56048
45,000:¥0.53788
参考库存:47345

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