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分立半导体
IRL40T209ATMA1参考图片

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IRL40T209ATMA1

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库存:14,061(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.7934
48.7934
10
¥41.4936
414.936
100
¥35.9566
3595.66
250
¥34.1147
8528.675
2,000
¥24.5097
49019.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
586 A
Rds On-漏源导通电阻
720 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
269 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
500 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
380 S
下降时间
160 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
230 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
190 ns
典型接通延迟时间
60 ns
零件号别名
SP001648026
商品其它信息
优势价格,IRL40T209ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥42.488
10:¥36.1148
100:¥31.2784
250:¥29.6625
450:¥26.5889
参考库存:6097
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40 Volt 4.0 Amp 100 Amp IFSM
1:¥4.2262
10:¥2.8363
100:¥1.9097
500:¥1.5368
3,200:¥1.05994
6,400:查看
参考库存:25599
分立半导体
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥39.1884
10:¥32.431
100:¥26.7358
250:¥25.8996
500:¥23.2102
1,000:¥23.2102
参考库存:8776
分立半导体
IGBT 晶体管 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
1:¥35.5724
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
参考库存:6103
分立半导体
MOSFET N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
1:¥17.063
10:¥14.1363
100:¥10.9836
500:¥9.605
3,000:¥7.4128
6,000:查看
参考库存:33855
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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