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分立半导体

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FS150R17PE4

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数量单价合计
1
¥1,797.4458
1797.4458
5
¥1,754.2572
8771.286
10
¥1,710.6844
17106.844
25
¥1,686.7171
42167.9275
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
835 W
封装 / 箱体
EconoPACK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
FS150R17PE4BOSA1 SP000631454
商品其它信息
优势价格，FS150R17PE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S8012DTP
Littelfuse
分立半导体
SCR 12A 1000V
1:¥13.5261
10:¥10.8367
100:¥8.2942
500:¥7.3789
1,000:¥5.7178
参考库存:7667
NSS40302PDR2G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
1:¥5.537
10:¥4.5991
100:¥2.9606
1,000:¥2.373
2,500:¥2.0001
参考库存:16744
IHW20N135R3FKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.4307
500:¥23.7413
参考库存:4446
NJVMJD32T4G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP DPAK PNP 3A 40V TR
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,500:¥1.7176
参考库存:16423
IPI200N25N3 G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 250V 64A I2PAK-3 OptiMOS 3
1:¥49.6409
10:¥44.7932
25:¥42.7253
100:¥37.1092
参考库存:6905

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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