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分立半导体
2SAR552P5T100参考图片

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2SAR552P5T100

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -30V Vceo -3A Ic MPT3
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.8928
28.928
100
¥1.7628
176.28
1,000
¥1.3673
1367.3
2,000
¥1.1639
2327.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-62-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 30 V
集电极—基极电压 VCBO
- 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 200 mV
最大直流电集电极电流
- 3 A
增益带宽产品fT
330 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SxR
直流电流增益 hFE 最大值
500 at - 500 mA, - 2 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
- 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at - 500 mA, - 2 V
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
2SAR552P5
商品其它信息
优势价格，2SAR552P5T100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZVP4525GTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET P-Chnl 250V
1:¥4.9946
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
参考库存:21959
STGP19NC60HD
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 19 A - 600 V very fast IGBT
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:56116
IPB015N08N5ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-2
1:¥46.4091
10:¥39.4144
100:¥34.1938
250:¥32.431
1,000:¥24.5097
2,000:查看
参考库存:14975
MSE1PGHM3/89A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1.0 Amp 400 Volt 20 Amp IFSM
1:¥3.2318
10:¥1.8306
100:¥0.9831
500:¥0.78422
4,500:¥0.46104
9,000:查看
参考库存:118467
IHW40N60RF
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
1:¥35.2673
10:¥29.9676
100:¥25.9674
250:¥24.5888
500:¥22.0576
参考库存:3579

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