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分立半导体
BSO220N03MDGXUMA1参考图片

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BSO220N03MDGXUMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
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库存:15,292(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2545
52.545
100
¥3.39
339
1,000
¥2.712
2712
2,500
¥2.712
6780
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.7 A
Rds On-漏源导通电阻
18.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
3.4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.4 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
零件号别名
BSO220N03MD BSO22N3MDGXT G SP000447478
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,BSO220N03MDGXUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D-PAK-e3
3,000:¥6.8252
参考库存:35643
分立半导体
整流器 BYV410X-600P/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL
5,000:¥3.5821
10,000:¥3.4465
25,000:¥3.3335
参考库存:35648
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A 45V Dual TrenchMOS
2,000:¥9.5259
5,000:¥9.1417
10,000:¥8.8366
参考库存:35653
分立半导体
稳压二极管 Z MET 82V
250:¥47.2566
500:¥43.1095
1,000:¥37.4934
2,000:¥36.1148
参考库存:28561
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diodes - DO5 BRAZ SQR-e3
100:¥117.7912
300:¥107.4178
500:¥100.5022
1,000:¥92.208
参考库存:28566
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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