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分立半导体
IPA083N10N5XKSA1参考图片

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IPA083N10N5XKSA1

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库存：5,293(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2264
4113.2
1,000
¥6.8704
6870.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
36 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPA083N10N5 SP001226038
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPA083N10N5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MB6S-E3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 600 Volt 0.5 Amp 35 Amp IFSM
1:¥4.2262
10:¥3.2092
100:¥2.2148
500:¥1.8532
参考库存:36666
STGWA30N120KD
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 30A 1200V short circuit rugged IGBT
1:¥33.5836
10:¥28.589
100:¥24.747
250:¥23.5153
参考库存:5828
VS-85HFR140
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1400 Volt 85 Amp
1:¥134.3118
10:¥122.0965
20:¥112.9548
50:¥106.8076
参考库存:4560
IRFR9220TRLPBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp
1:¥12.0684
10:¥9.9892
3,000:¥9.9892
参考库存:12672
FDS6930A
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SO-8 DUAL N-CH
1:¥5.8421
10:¥4.8251
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
2,500:¥2.486
参考库存:22654

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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