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分立半导体
IPD90N10S4L-06参考图片

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IPD90N10S4L-06

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数量单价合计
1
¥15.5262
15.5262
10
¥13.1419
131.419
100
¥10.5316
1053.16
500
¥9.2208
4610.4
2,500
¥7.1303
17825.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
6.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD90N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPD90N10S4L06ATMA1 SP000866562
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD90N10S4L-06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:30156
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Volt 3.0 Amp 100 Amp IFSM
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥2.147
500:¥1.7628
3,500:¥1.243
7,000:查看
参考库存:7318
分立半导体
稳压二极管 3.0 Volt 0.3W 5% CA
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:23910
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode SC-105AA/SOT-723
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.80682
500:¥0.61472
10,000:¥0.32318
20,000:查看
参考库存:69237
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS LN XSTR NPN 25V
1:¥3.842
10:¥2.486
100:¥1.06785
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.62263
参考库存:47314
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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