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分立半导体
IPP111N15N3 G参考图片

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IPP111N15N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
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库存：4,491(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1993
31.1993
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.8203
5455.075
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
83 A
Rds On-漏源导通电阻
9.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPP111N15N3GXK IPP111N15N3GXKSA1 SP000677860
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP111N15N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BTA201-600E,126
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 13.7A 3-Pin SPT
10,000:¥1.4916
30,000:¥1.4125
50,000:¥1.3786
参考库存:45342
BZX84C3V6T-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 150mW 3.6V Zener
3,000:¥0.41471
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
参考库存:45347
VS-43CTQ100-011HN3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-220-e3
900:¥13.2888
1,800:¥11.0627
2,700:¥10.2943
5,400:¥9.9101
参考库存:45352
V35PW12-M3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Single Die TO-252AE 35A If(AV)
1:¥10.2943
10:¥8.4524
100:¥6.4749
500:¥5.5596
1,000:¥4.8816
4,500:¥4.8816
参考库存:45357
2N5545
InterFET
分立半导体
JFET N-Ch -50 JFET 1.5Vbr Dual -50pA 100dB
61:¥117.181
100:¥107.802
250:¥98.2761
500:¥91.9029
参考库存:45362

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    50万现货SKU

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