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分立半导体
IPP111N15N3 G参考图片

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IPP111N15N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:4,491(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1993
31.1993
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.8203
5455.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
83 A
Rds On-漏源导通电阻
9.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPP111N15N3GXK IPP111N15N3GXKSA1 SP000677860
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP111N15N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
500:¥1.4803
1,000:¥1.10627
参考库存:17791
分立半导体
MOSFET 2A TRANSISTOR HIGH GAIN
1:¥13.7521
5:¥13.0628
10:¥12.3735
25:¥11.6051
参考库存:30769
分立半导体
整流器 20A,150V,TRENCH SKY RECT.
1:¥10.9158
10:¥8.9948
100:¥6.8704
500:¥5.8986
参考库存:30774
分立半导体
稳压二极管 4.3 Volt 0.5W 5%
1:¥1.4577
10:¥1.2995
100:¥0.5537
500:¥0.46104
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:30779
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diodes - DO4 BRAZ SQR-e3
1:¥87.0552
10:¥78.3768
25:¥71.3821
100:¥64.4665
参考库存:30784
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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