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分立半导体
STD13N65M2参考图片

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STD13N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4015
3700.75
2,500
¥5.7065
14266.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
370 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD13N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STD13N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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15,000:¥0.29945
24,000:¥0.29154
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暂无价格
参考库存:31961

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