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分立半导体
IPI110N20N3 G参考图片

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IPI110N20N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 200V 88A I2PAK-3 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥47.2566
47.2566
10
¥42.7253
427.253
25
¥40.7252
1018.13
100
¥35.3464
3534.64
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
88 A
Rds On-漏源导通电阻
10.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 nS
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 nS
零件号别名
IPI110N20N3GAKSA1 IPI11N2N3GXK SP000714304
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，IPI110N20N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ES1GL R2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 400V, SUPER FAST SM RECTIFIER
15,000:¥0.69947
22,500:¥0.63054
45,000:¥0.56048
97,500:¥0.52206
参考库存:55329
MBR2535CT C0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A 35V
2,000:¥4.9946
参考库存:55334
ES1DV F2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER
15,000:¥0.71416
22,500:¥0.64523
45,000:¥0.56839
97,500:¥0.52997
参考库存:55339
MBRT30040R
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V 300A Schottky Recovery
25:¥589.6679
50:¥577.5317
100:¥556.7058
参考库存:55344
SK54B R4G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5A,40V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
6,000:¥1.6611
参考库存:55349

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