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分立半导体

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FS50R17KE3_B17

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 模块 IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V
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库存：1,411(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥883.2758
883.2758
5
¥865.9077
4329.5385
10
¥825.4876
8254.876
25
¥808.1986
20204.965
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.7 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
82 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
345 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS50R17KE3B17BOSA1 SP000091942
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格，FS50R17KE3_B17的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N3647
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
1:¥224.8361
5:¥213.6152
10:¥208.0104
25:¥191.1734
参考库存:42514
JANTX1N3957
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
1:¥88.7502
10:¥79.9136
25:¥72.8398
100:¥65.6982
参考库存:42519
UDZSTE-173.6B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3.6V 200MW
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.61472
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32996
参考库存:42524
BSZ042N04NS G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.8366
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥5.1302
5,000:¥3.5934
10,000:查看
参考库存:42529
1N958B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥26.7358
10:¥21.4361
100:¥19.5942
250:¥17.6732
参考库存:11597

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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