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分立半导体
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RGW60TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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数量单价合计
1
¥36.5781
36.5781
10
¥31.0411
310.411
100
¥26.9731
2697.31
250
¥25.5832
6395.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
178 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，RGW60TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDLL753A/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥23.052
309:¥23.052
500:¥20.6677
1,000:¥17.4472
2,500:¥16.5997
参考库存:48131
SF35-B
Rectron
分立半导体
整流器 3A 300V 35ns
1,000:¥2.034
2,000:¥1.9888
参考库存:48136
JANTXV1N5525DUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥374.7532
250:¥353.7691
参考库存:48141
RL1200F-B
Rectron
分立半导体
整流器 .6mm Ld 0.5A 1200V
7,000:¥0.43844
10,000:¥0.37629
参考库存:48146
JANSR2N3700UB/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥783.6889
100:¥766.705
参考库存:48151

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    50万现货SKU

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