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分立半导体
SI4190ADY-T1-GE3参考图片

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SI4190ADY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
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数量单价合计
1
¥14.2945
14.2945
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.1417
914.17
500
¥8.0682
4034.1
2,500
¥8.0682
20170.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
18.4 A
Rds On-漏源导通电阻
7.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
67 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
54 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SI4190ADY-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SI4190ADY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥251,518.0668
参考库存:43967

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