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分立半导体
GS66506T-E01-MR参考图片

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GS66506T-E01-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 650V 22A E-Mode GaN
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数量单价合计
1
¥131.9388
131.9388
10
¥106.4234
1064.234
25
¥101.4288
2535.72
250
¥94.2872
23571.8
1,000
¥91.6656
91665.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
22.5 A
Rds On-漏源导通电阻
67 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
4.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.54 mm
长度
5.5 mm
产品
MOSFET
系列
GS6650x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
GaN Systems
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
GS66506T-E01-MR
商品其它信息
优势价格，GS66506T-E01-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N3647
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
1:¥224.8361
5:¥213.6152
10:¥208.0104
25:¥191.1734
参考库存:42514
JANTX1N3957
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
1:¥88.7502
10:¥79.9136
25:¥72.8398
100:¥65.6982
参考库存:42519
UDZSTE-173.6B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3.6V 200MW
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.61472
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32996
参考库存:42524
BSZ042N04NS G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.8366
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥5.1302
5,000:¥3.5934
10,000:查看
参考库存:42529
1N958B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥26.7358
10:¥21.4361
100:¥19.5942
250:¥17.6732
参考库存:11597

  • 海量现货

    50万现货SKU

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