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分立半导体

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TSM061NA03CV RGG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 66A, 6.1mOhm
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库存:4,475(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.4525
10.4525
10
¥9.2999
92.999
100
¥7.3224
732.24
500
¥5.6839
2841.95
5,000
¥3.8533
19266.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN33-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
66 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
19.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
44.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
Rectifiers
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
51 S
下降时间
7.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34.4 ns
典型接通延迟时间
11.6 ns
商品其它信息
优势价格,TSM061NA03CV RGG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 36V, 1W 5% Zener
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:76884
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF2/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥9,605.00
参考库存:4931
分立半导体
整流器 5A, 600V, ESD PROTECTION, SMPA
1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
14,000:¥1.2317
参考库存:66938
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creepage package
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.2943
参考库存:10865
分立半导体
MOSFET T6-40V N 2 MOHMS LL
1:¥8.4524
10:¥7.2433
100:¥5.5596
500:¥4.9155
1,500:¥3.4465
9,000:查看
参考库存:15777
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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