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分立半导体
DMHC4035LSD-13参考图片

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DMHC4035LSD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8815
2881.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
4.5 A, 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms, 65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
11.1 nC, 12.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMHC4035
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.5 ns, 15.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns, 2.9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 36.3 ns
典型接通延迟时间
3.1 ns, 3.6 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，DMHC4035LSD-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFB3004PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 40V 195A 1.7mOhm 160nC Qg
1:¥32.431
10:¥27.5833
100:¥23.8995
250:¥22.6678
500:¥20.3626
参考库存:91566
C3D06060A
Wolfspeed / Cree
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 6A
1:¥22.2836
100:¥18.5998
500:¥15.9104
1,000:¥13.9103
参考库存:21683
R6004KNX
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
参考库存:3415
BAT 24-02LS E6327
Infineon Technologies
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Silicon Schottky Diodes 4V 110mA
1:¥8.2942
10:¥7.1416
100:¥5.4918
500:¥4.8477
15,000:¥3.164
参考库存:66442
APT50GF120LRG
Microsemi
分立半导体
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Single
1:¥165.3642
10:¥150.3013
25:¥139.0013
50:¥131.4755
参考库存:1844

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    50万现货SKU

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