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分立半导体
CGH60030D-GP4参考图片

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CGH60030D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
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¥561.6213
5616.213
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
3 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
配置
Dual
高度
100 um
长度
1.66 mm
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
通道数量
2 Channel
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGH60030D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 12A 1000V
1:¥13.5261
10:¥10.8367
100:¥8.2942
500:¥7.3789
1,000:¥5.7178
参考库存:7667
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
1:¥5.537
10:¥4.5991
100:¥2.9606
1,000:¥2.373
2,500:¥2.0001
参考库存:16744
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.4307
500:¥23.7413
参考库存:4446
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP DPAK PNP 3A 40V TR
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,500:¥1.7176
参考库存:16423
分立半导体
MOSFET N-Ch 250V 64A I2PAK-3 OptiMOS 3
1:¥49.6409
10:¥44.7932
25:¥42.7253
100:¥37.1092
参考库存:6905
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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