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分立半导体

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STGFW20V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
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数量单价合计
1
¥24.3628
24.3628
10
¥20.7468
207.468
100
¥17.9783
1797.83
250
¥17.063
4265.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
52 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGFW20V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，STGFW20V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N5553
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
1:¥167.9745
10:¥152.6856
25:¥141.2274
50:¥133.6225
参考库存:3844
M5060SB400
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 DIODE 60-100 AMP
1:¥373.9848
10:¥356.1534
25:¥348.0852
50:¥339.9379
参考库存:3851
SIS472BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
3,000:¥1.5594
6,000:¥1.5594
参考库存:25577
FR12J05
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 600V 12A Fast Recovery
1:¥70.1504
10:¥63.167
25:¥57.5509
100:¥51.9461
参考库存:4963
SS8P3CHM3_A/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8A,30V,SM SKY RECT.
1:¥4.9155
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
6,500:¥1.7854
参考库存:36330

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    50万现货SKU

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