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分立半导体
2SCR562F3TR参考图片

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2SCR562F3TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S
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数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥4.3392
43.392
100
¥2.8024
280.24
1,000
¥2.2374
2237.4
3,000
¥1.8871
5661.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN2020-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
100 mV
最大直流电集电极电流
7 A
增益带宽产品fT
270 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
500
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
2.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
2SCR562F3
商品其它信息
优势价格,2SCR562F3TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC
1:¥10.7576
10:¥9.1417
100:¥7.0738
500:¥6.2489
1,000:¥4.9381
4,000:¥4.9381
参考库存:35375
分立半导体
MOSFET N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III
1:¥18.984
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.30
3,000:¥8.6784
6,000:查看
参考库存:12892
分立半导体
MOSFET N-Ch 800 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0286
2,500:¥4.9155
10,000:查看
参考库存:18079
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:20596
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6842
500:¥10.2152
2,500:¥7.91
5,000:查看
参考库存:3713
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    50万现货SKU

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