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分立半导体
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FDG6332C-F085

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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.7007
27.007
100
¥1.4577
145.77
1,000
¥1.09158
1091.58
3,000
¥0.94468
2834.04
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
700 mA
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms, 420 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.1 nC, 1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDG6332C_F085
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
2.8 S, 1.8 S
下降时间
1.5 ns, 1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 nS, 14 nS
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 nS, 6 nS
典型接通延迟时间
5 nS, 5.5 nS
零件号别名
FDG6332C_F085
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格，FDG6332C-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DAN217UMFHTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 80VVrm 80V Vr 0.1A Io 100mA
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:122274
PUMH9,125
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TransDigital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:17511
BYW36-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 RECOMMENDED ALT 78-BYW36-TAP
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥2.2261
500:¥1.8306
5,000:¥1.2091
10,000:查看
参考库存:17463
EDF1DS-E3/77
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 1.0 Amp 200 Volt
1:¥7.1416
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥3.8985
1,500:¥3.8985
参考库存:9650
BUL128D-B
STMicroelectronics
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥4.3844
10:¥3.6499
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
参考库存:22162

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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