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分立半导体
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FDG6332C-F085

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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.7007
27.007
100
¥1.4577
145.77
1,000
¥1.09158
1091.58
3,000
¥0.94468
2834.04
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
700 mA
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms, 420 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.1 nC, 1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDG6332C_F085
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
2.8 S, 1.8 S
下降时间
1.5 ns, 1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 nS, 14 nS
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 nS, 6 nS
典型接通延迟时间
5 nS, 5.5 nS
零件号别名
FDG6332C_F085
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格，FDG6332C-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBR60020CT
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A 20P/14R
25:¥725.8329
50:¥710.9282
100:¥685.2546
参考库存:43031
FR85M05
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 1000V 85A Fast Recovery
100:¥166.4377
250:¥152.7534
500:¥145.3858
参考库存:43036
MPS3708
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
7,500:¥1.07576
10,000:¥0.99892
25,000:¥0.94468
50,000:¥0.92208
100,000:¥0.89157
参考库存:43041
CMSZ5245B TR
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 250mW 5% Tolerance
12,000:¥0.66105
24,000:¥0.62263
45,000:¥0.56048
99,000:¥0.53788
参考库存:43046
MPS3707
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
7,500:¥1.00683
10,000:¥0.9379
25,000:¥0.86106
50,000:¥0.82942
100,000:¥0.79891
参考库存:43051

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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