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分立半导体
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STL50DN6F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package
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数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3675
53.675
100
¥3.4578
345.78
1,000
¥2.7685
2768.5
3,000
¥2.3391
7017.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
57 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL50DN6F7
晶体管类型
2 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.4 ns
典型接通延迟时间
14.5 ns
商品其它信息
优势价格,STL50DN6F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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