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分立半导体
CGHV22200F参考图片

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CGHV22200F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 GaN HEMT 1.8-2.2GHz, 200 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
18 dB
输出功率
200 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440162
封装
Bulk
工作频率
1.8 GHz to 2.2 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 10 V, 2 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV22200F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHA22N60E-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥30.1258
10:¥24.8939
100:¥20.5208
250:¥19.8993
参考库存:6451
Q6N3RP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 600V 1A 10-10-10mA
1:¥11.0627
10:¥8.8366
100:¥6.7574
500:¥6.0003
1,000:¥4.746
2,500:¥4.746
参考库存:12633
VS-30EPF12PBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 30A 1.2KV UF TO247
1:¥43.2564
10:¥35.8097
100:¥29.5043
250:¥28.589
500:¥25.6623
参考库存:5485
2SK3320-BL(TE85L,F
Toshiba
分立半导体
JFET Junction FET N-Ch x2 1.2V to 14mA 10mA
1:¥5.9212
10:¥4.5539
100:¥2.938
1,000:¥2.3504
3,000:¥1.9775
参考库存:34787
ES3D-E3/9AT
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 200 Volt 3.0A 20ns Glass Passivated
1:¥4.4522
10:¥3.3448
100:¥2.486
500:¥2.0453
3,500:¥1.4464
7,000:查看
参考库存:39319

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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