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分立半导体
IPD068N10N3GATMA1参考图片

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IPD068N10N3GATMA1

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数量单价合计
1
¥16.5206
16.5206
10
¥13.9894
139.894
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.831
4915.5
2,500
¥7.5936
18984
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
54 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
37 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
G IPD068N10N3 SP001127816
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD068N10N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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22,500:¥0.43053
参考库存:34468
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20,000:¥0.42262
50,000:¥0.37629
100,000:¥0.35369
参考库存:34478
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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