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分立半导体
STQ2HNK60ZR-AP参考图片

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STQ2HNK60ZR-AP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-92 package
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数量单价合计
1
¥5.9212
5.9212
10
¥4.859
48.59
100
¥3.1301
313.01
1,000
¥2.5086
2508.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
4.8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
高度
4.95 mm
长度
4.95 mm
系列
STQ2HNK60ZR-AP
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.94 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
220 mg
商品其它信息
优势价格，STQ2HNK60ZR-AP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5233C-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.0 Volt 0.225W 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:30888
1N4151W-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 75 Volt 500mA 2ns
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:30893
MMBZ5254C-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 27 Volt 0.225W 2% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:30898
TLZ6V2-GS08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.5 Watt IR = 3uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
2,500:¥0.30736
5,000:查看
参考库存:30903
RN1116MFV(TL3,T)
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN 100mA 50V 4.7kohm
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:30908

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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