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分立半导体
IHW30N160R2FKSA1参考图片

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IHW30N160R2FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
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数量单价合计
1
¥43.6406
43.6406
10
¥37.1092
371.092
100
¥32.1146
3211.46
250
¥30.51
7627.5
500
¥27.3573
13678.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
312 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW30N160R2 IHW3N16R2XK SP000273701
单位重量
5.420 g
商品其它信息
优势价格,IHW30N160R2FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 33 Volt 0.225W 5% AUTO
1:¥1.921
10:¥1.6724
100:¥0.70738
500:¥0.59212
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:23229
分立半导体
稳压二极管 43 Volt 0.35Watt 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:23234
分立半导体
稳压二极管 13 Volt 0.2W 5%
1:¥2.3843
10:¥1.5481
100:¥0.75258
500:¥0.64523
3,000:¥0.3842
6,000:查看
参考库存:77034
分立半导体
稳压二极管 8.7 Volt 0.225W 5%
1:¥1.8419
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
3,000:¥0.31527
6,000:查看
参考库存:23241
分立半导体
稳压二极管 6.8 Volt 0.5 Watt IR = 2uA
1:¥1.7628
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:23246
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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