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分立半导体
TSM60NB260CI C0G参考图片

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TSM60NB260CI C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 600V Power MOSFET Superjunction N-chan
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数量单价合计
1
¥22.7469
22.7469
10
¥20.5886
205.886
100
¥16.5206
1652.06
500
¥12.9046
6452.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
32.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.2 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90.8 ns
典型接通延迟时间
28.4 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMA204030R
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500:¥6.7574
1,000:¥5.3449
参考库存:5190

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