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分立半导体
DMP3036SFG-7参考图片

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DMP3036SFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.8419
1841.9
2,000
¥1.8419
3683.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
Rds On-漏源导通电阻
13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
16.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP3036
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
31.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
8.2 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格，DMP3036SFG-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI8900EDB-T2-E1
Vishay / Siliconix
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MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
3,000:¥11.2209
6,000:¥10.7576
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BZD27B4V7P-HE3-08
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100:¥849.6244
参考库存:31110
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分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥2,955.8088
参考库存:31120

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