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分立半导体
CSD18536KTTT参考图片

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CSD18536KTTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET SMALL REEL OF KTT PKG
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库存：5,168(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.0414
37.0414
10
¥33.3463
333.463
50
¥33.3463
1667.315
100
¥27.2782
2727.82
250
¥25.5832
6395.8
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
否
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
19.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD18536KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
312 S
下降时间
4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格，CSD18536KTTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD27C18P-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 18 Volt 0.8 Watt 5%
50,000:¥0.91417
参考库存:28065
APTM100UM65DAG
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥1,595.6617
参考库存:28070
BZD27B13P-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF 150W Pppm. Uni-Dir
30,000:¥0.78422
参考库存:28075
APT20M120JCU2
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
100:¥311.5862
250:¥305.0548
参考库存:28080
IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET
1,000:¥41.0303
2,000:¥39.4935
参考库存:28085

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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