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分立半导体
SIRA16DP-T1-GE3参考图片

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SIRA16DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.8759
38.759
100
¥2.938
293.8
500
¥2.4295
1214.75
1,000
¥1.9436
1943.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
47 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
29.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
21 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIRA16DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SS1H6LWHRQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A, 60V, SM Schottky barrier Rectifiers
20,000:¥0.58421
参考库存:53303
ES2FAHF2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 2A, 300V, SUPER FAST SM SMA RECTIFIER
15,000:¥0.73789
参考库存:53308
CMZ5935B TR13
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1.5W 200W TVS Zener 13.9mA 25.65 to 28.3
5,000:¥2.3165
10,000:¥2.2261
25,000:¥2.147
参考库存:32763
BZD27C47PHRQ
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 47V, ZENER
10,000:¥0.9605
20,000:¥0.89948
50,000:¥0.80682
参考库存:53315
SK210AHE2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,100V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
15,000:¥0.86106
参考库存:53320

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    50万现货SKU

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